AMD目前的GPU家族是火山岛系列，上周爆出了下一代的海盗岛R9 300系列，其中有百慕大、斐济以及宝藏岛三个核心，规格也非常惊人，流处理器单元从目前最高2816个提升到了4224个。如此大规模的提升背后，AMD免不了要在GPU核心面积上做些妥协，以往坚持的小核心策略可能就此改变，据说“斐济”GPU的核心面积都不会低于550mm²，可能是600mm²。此外，海盗岛家族还可能用上速度更快的HBM堆栈式内存。

目前我们对海盗岛家族GPU的架构及规格尚无确切消息，特别是制程工艺及核心，此前的传闻称其使用TSMC的20nm工艺，但即便如此，运算规模的大幅提升也不得不让AMD在核心面积上作出妥协。3Dcenter上目前正在进行热切的讨论，他们给出的分析认为斐济核心的面积都要超过550mm²，甚至可达600mm²，性能可达R9 295X2的水平。

AMD此前一直坚持小核心策略，同代的GPU核心面积普遍都要低于NVIDIA的产品，Tahiti一代的核心面积是365mm²，虽然比GK104核心的294mm²要高，不过要低于GK110核心的561mm²，即便是R9 290X的Hawaii核心也只有438mm²，还是没有超过GK110的水平。如今随着GPU规模的提升，AMD的GPU核心面积也不得不迈向更高的水平，不论是550还是600mm²，都达到甚至超过了GK110的水平。

当然，这个分析也只是一家之言，也有人并不认同AMD会走大核心路线，认为大核心在制造难度及良率上都是问题，不过NVIDIA的大核心GK110并没有听说有良率问题，AMD的大核心也不应该有良率问题。但无论哪种意见，海盗岛GPU的核心规模肯定会越来越大，核心面积提升是免不了的。

争论更多的还有海盗岛GPU的架构及技术，此前的Tahiti、Hawaii核心架构是GCN 1.0及GCN 1.1，海盗岛属于制程、架构换代产品，会升级到GCN 2.0架构。随着计算性能的增强，GCN 2.0对带宽的要求也会越来越高，海盗岛有可能会用上AMD与Hynix等厂商联合开发的HBM堆栈式内存。

HBM内存是堆栈式设计，支持多通道，带宽大幅提升

HBM内存的技术背景之前有过介绍，AMD联合SK Hynix等厂商开发HBM内存也很久了，通过TSV硅穿孔技术堆栈多个内存通道，内存带宽及容量都有明显提升，不仅可以用于内存，也可以用于图形及网格计算。相比GDDR5内存，HBM可以提高65%的总体性能，而功耗则有40%的下降。

此前NVIDIA公布的帕斯卡架构也会使用3D堆栈内存，也是通过TSV硅穿孔技术实现多通道内存的封装，内存带宽及容量因此提升，AMD新一代GPU架构用上HBM内存倒不是太意外，唯一的问题就是3D堆栈内存的技术成熟度，要形成类似GDDR5这样的通用标准才有商业化的可能。

至于海盗岛GPU的进度，如果AMD真的打算使用TSMC的20nm工艺，并且在年底推出，那么现在差不多应该是流片的时间了，特别是大核心GPU需要的时间更多，NVIDIA的GK110核心是2012年9月份首次用在专业卡上的，但是2012年1月份就流片了，这个进度可以当作参考。