三星电子今天宣布，已经开始批量生产全世界最先进的DDR3内存颗粒，采用了新的20nm工艺。

在内存、闪存工艺上，半导体厂商一般都不公布非常确切的数字，往往只说20nm级别之类的，并以2x、2y、2z等不同标识代表先进等级。三星这次明确地描述为“20 nanometer process technology”，也就是真正的20nm。

三星表示，DRAM内存颗粒的每个单元都包含一个电容、一个晶体管，用于连接其他单元，不像NAND闪存单元那样只需一个晶体管，所以工艺进步更加困难。为此，三星重新调整了设计和制造技术，用上了改进的双重曝光、原子层沉积(ALD)，同时结合了已有的沉浸式ArF光刻等先进技术。

三星称，这一突破为今后向1xnm迈进奠定了坚实的基础，或许也可以用来更好地制造DDR4。

三星20nm DDR3内存颗粒的容量为4Gb(512MB)，生产效率比25nm DDR3高出超过30％，更是3xnm DDR3的两倍多，同时同等容量的功耗也要比25nm DDR3节省最多25％。

Gartner的调研数据显示，2013年全球DRAM内存市场总价值约356亿美元，2014年将增至379亿美元。