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手机用上这样的闪存 就可以叫板SSD了!
2014-02-24 14:23:16  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

智能手机的硬件配置日新月异,但是内置存储却进步缓慢,不但容量几乎没有扩充,性能也一直差强人意,尤其是随机速度难以令人满意,普遍还不如3.5寸机械硬盘,剩余容量较少时的随机写入更是惨不忍睹。MWC 2014大会上,SanDisk闪迪送来了救星——新一代的iNAND Extreme

这也是一种单芯片的eMMC+NAND主控/闪存二合一方案,其中主控采用双处理器,一个负责Host操作,另一个负责闪存管理,而闪存是SanDisk自家出品的 2bpc MLC颗粒,首发容量16GB、32GB、64GB,封装尺寸为13×11.5×1.0(16-32GB)/1.2(64GB)毫米。

闪存工艺只说是1ynm,没有给出具体数字,但是说闪存单元尺寸可比19nm的缩小25%。(闪存工艺经常用x、y、z来模糊地表示,越往后越先进。)

iNAND Extreme现在支持eMMC 5.0 HS400标准规范,理论传输带宽400MB/s,不过内部使用了双通道设计,在主控和闪存之间有两个300MB/s的通道,不但有利于提高性能,还可以将垃圾回收等清理机制隐藏在幕后,不干扰用户使用。

iNAND Extreme之前使用的是基于区块的映射架构,适合高速持续读写,但随机性能很差,而现在改成了页面映射架构,辅以低延迟调度器(LLS),大大提高了随机性能。

根据官方数据,随机读写性能最高分别可达6000 IOPS、3000 IOPS,换算下来写入大约是12MB/s。同时,持续读写性能最高可达300MB/s、80MB/s(16GB 40MB/s)。

此外,新架构还有电压检测器、纠错机制、增强的读取可靠性、优化的损耗均衡、掉电/不稳定性保护机制,耐用性更佳。

这样的指标,已经足以媲美低端的固态硬盘了。

SanDiks稍后还会提供128GB容量和最新的同容量microSD卡一样使用了16 Die密集封装(尺寸增至16×12×1.4/1.6毫米),不过性能上较低,接口标准仅支持e.MMC 4.51 HS200随机读写速度4000 IOPS、800 IPOS,持续读写则是150MB/s、45MB/s,适合需要容量但对性能要求不高的地方。

SanDisk的新一代iNAND Extreme已经向客户提供样品,第二季度批量供货。看看谁家手机和平板能先用上。

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主要规格

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高性能

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高可靠性

 

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