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无敌高通!第四代LTE基带上300Mbps、20nm
2013-11-21 10:06:48  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

通信行业的一哥高通今天再次确立了自己的老大地位:正式推出第四代3G/LTE多模基带“Gobi MDM9x35”,以及相应的射频收发器芯片“WRT3925”

MDM9x35支持全球性的载波聚合,TDD-LTE、FDD-LTE Cat.6制式频宽最高均可达40MHz,理论下载速率最高300Mbps,是目前LTE-A Cat.4 150Mbps的整整两倍,同时也继续支持已有的其它各种制式,包括DC-HSPA、EVDO Rev. B、CDMA 1x、GSM/EDGE、TD-SCDMA等等,包括双载波HSUPA、双频段多载波HSPA+。

与此同时,它还是全球第一款采用20nm工艺制造的基带,确切地说是台积电的20nm SoC(明年初量产),这也是第一款公开宣布的基于此工艺的产品。

WRT3925收发器也是个狠角色,第一次使用了28nm RF CMOS制造工艺,而此前的WTR1605/WTR1625L都还是65nm RF CMOS,同时也是高通第一个支持3GPP规范批准的所有载波聚合频段的单芯片射频收发器,可让运营商将所有零碎的频段(5MHz、10MHz、15MHz、20MHz)整合在一起,提升服务质量。

它还集成了高通的IZat定位平台,能在全球范围内实现精准的室内定位。

高通表示,这两款芯片都经过了特别设计,功耗更低,面积更小,集成度更高,性能更强。它们俩加上高通的RF360前端方案,将组成移动通信行业最顶级的LTE平台。

再加上同时发布的骁龙805,高通的移动全平台制霸依然无可撼动。

MDM9x35、WRT3925将于明年初向客户提供样品。

无敌高通!第四代LTE基带上300Mbps、20nm

 

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