【嵌入式缓存解决带宽问题】

无论什么整合GPU，都必须面临内存带宽不足的问题。这一次，Intel的终极解决方案是128MB eDRAM嵌入式缓存，代号“Crystalwell”。这是由Intel自己设计的，采用P1271 22nm SoC工艺制造。注意这不同于P1270 CPU工艺，因为Intel需要更低的晶体管漏电率，而不是一味的高频率——最高为1.6GHz。

这些缓存并没有直接和CPU整合在一起，而是一颗独立的Die，共同封装在一起。这么做的原因也很简单，首先是工艺不完全一样，其次是可以很容易根据需要做调整。如果大家都很喜欢这种缓存配置，Intel就可以多造一些，反之亦然。

下一代的14nm Broadwell上仍然会有这种缓存，但可能还会是22nm SoC工艺制造，毕竟既能利用老工厂产能，还没必要急着扩大容量。

那么会不会有一天跟处理器彻底整合到一起呢？Intel说现在碳这个还为时过早(84平方毫米确实不容易放进去)，但可能会有16-32MB eDRAM的整合版本，用于特定目的。

但是不同于以往游戏主机中的eDRAM，Crystalwell又是内存体系中真正的四级缓存，扮演三级缓存替补缓冲器的角色，任何从三级缓存中被赶出来的数据都会到这里边来。

因为是缓存而非缓冲，Intel发现Crystalwell的命中率很少低于95％。三级缓存未命中后的访问延迟为30-32纳秒，介于三级缓存和系统内存之间。

内存延迟：GT3e确实低很多

它可以同时处理CPU、GPU缓存，还能在二者之间动态定位。如果你安装了独显，完全不需要使用整合GPU，Crystalwell就会去全力处理CPU请求。

对于Crystalwell和其它部分的互连，Intel语焉不详，只说是一条很窄的串行总线，双向带宽50GB/s，再加上128-bit DDR3-1600内存的25.6GB/s，还是很可观的。GT 650M 128-bit 5GHz GDDR5也才不过80.3GB/s。

事实上，eDRAM容量超过32MB之后就用处不是很大了(微软Xbox One里就是32MB eSRAM)，Crystalwell却有多达128MB，而且就这一个版本。Intel的意图是先翻番来应对任何可能的游戏复杂度，再翻番以确保万无一失。借用Intel自己的话说就是“要么128MB，要么就没有”。

至于为什么选择eDRAM，Intel看重了它的高带宽和低功耗。Intel宣称，Crystalwell的带宽曲线非常平稳，不像GDDR5那样依赖于负载。待机状态下，Crystalwell只需要简单地刷新已存储数据，功耗0.5-1W，全带宽负载下则是3.5-4.5W。

它还和其它所有模块一样，受到了电源控制单元(PCU)的监控。根据散热、负载甚至是eDRAM的命中率，PCU可以在CPU、GPU、eDARM之间平衡功耗。

很可惜，Crystalwell只会搭配高端四核心，出现在H、R系列部分型号中，要是K系列也有肯定会大受追捧。至于为何不用于低端，主要是GT1/GT2用不着那么多带宽。Intel还解释说，一旦热设计功耗达到18W，GT3e就会很有用，但又必须顾及内核面积。

缓存/内存带宽