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ARM期盼“大救星”:14nm工艺
2013-04-23 09:36:32  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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Intel最牛逼的武器就是领先业界的半导体制造工艺,ARM自然也希望能够趁着新工艺的东风前进,只不过必须仰仗其它伙伴的进度,比如台积电、三星。ARM就相信,三星电子正在研发的14nm FinFET工艺将会大大提高ARM处理器的性能,并同时降低功耗。

ARM物理IP部门战略客户营销主管Ron Moore近日表示:“ARM的合作伙伴在设计SoC的时候加入了动态电压和频率调节(DVFS),以便在需要的时候达到峰值性能,并在较低负载任务中提高能效。14nm FinFET工艺更低的常规运行电压扩大了高低负载下的电压范围。在一套ARM big.LITTLE处理系统中,我们可以在这一范围的上部获得更高性能,并在中部和下部获得更高能效。

但是随着半导体技术复杂度的猛增,即便是Intel也在前进之路上面临重重困难,ARM阵营就更不好说了,ARM自己对此也有清醒的认识。

Ron Moore就表示:“在如今的高性能低功耗SoC上,伙伴们都使用自动EDA流程来部署大量的节能技术,比如时钟栅极、电源栅极、多重Vt电压、多重Vdd电压、适应性调节等等,主要体现为DVFS或者适应性电压调节(AVS)。在展望14nm FinFET工艺上的ARM技术时,我们需要确保能以这些技术或者其它方法获得足够高的能效。与此同时,我们也深刻地明白及早上市的压力,需要加速ARM处理器的进步。

ARM今年早些时候曾保证说,更先进的制造工艺可以让ARM架构处理器集成16个甚至32个通用核心,实现更高的性能和流畅的多任务处理,但难度可想而知。更何况,四核处理器在移动领域的实用性都还备受质疑,如此众多核心其实更适合去拓展服务器应用。

低功耗一向是ARM引以为傲的地方,但随着性能的提升,功耗问题愈发凸显,比如说Cortex-A15架构就面临严重阻碍,28nm下四个核心放在一起简直就是“电老虎”,只能期待20nm去缓解。另一方面,Intel x86的功耗控制却是愈发得心应手,22nm、14nm会相继到来,以相同甚至更低的功耗跑赢ARM希望非常大。

ARM期盼“大救星”:14nm工艺

 

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