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三星大规模生产128Gb MLC闪存芯片
2013-04-15 15:18:09  作者:P2MM 编辑:P2MM   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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三星电子宣布,已经开始大规模生产128Gb,3-bit MLC NAND闪存芯片,并且采用10nm制程。

三星表示,新的三星128Gb闪存,拥有400Mbps数据传输速率,采用DDR 2.0接口。产品针对未来的高密度内存解决方案,如嵌入式NAND存储和固态驱动器(SSD)。三星表示,该公司将扩大其供应的128GB内存卡,也准备研发容量超过500GB的固态硬盘。

三星内存销售及市场营销执行副总裁表示,这种新的芯片是三星NAND闪存进化关键,及时生产将提高三星在高密度闪存存储市场的竞争力。

2012年11月,三星推出64Gb NAND闪存芯片,采用10nm工艺生产。

三星大规模生产128Gb MLC闪存芯片


 

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