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低端SSD之福:三星量产1xnm 16GB TLC闪存
2013-04-12 17:57:48  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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三星电子宣布,已于本月起开始量产1xnm工艺的128Gb(16GB) TLC NAND闪存颗粒,将成为大容量固态硬盘、存储卡的上佳之选。

TLC闪存采用了3bpc的设计方式,即每单元3个存储比特位,相比之下MLC、SLC分别是2bpc、1bpc。从成本上讲TLC比后两者廉价得多,非常适合入门级存储产品,但是可靠性和耐久性也相对差不少,使用年限没那么久。

该闪存的性能也不赖,Toggle DDR 2.0接口模式下数据传输率可达400Mbps,也就是50MB/s。工艺只说是10nm级别,没有更具体的数值,这也是三星的老规矩了。

三星透露会利用这种闪存发布新的128GB存储卡,可存储16部全高清电影,同时加大500GB以上容量的固态硬盘。这似乎在暗示840系列就会使用它们。

去年11月,三星量产了1xnm 64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒,如今还不到五个月就把容量翻了一番,同时也增强了三星在3bpc TLC闪存方面的优势,此前的产品还是2010年的2xnm 64Gb(8GB),就用在840系列固态硬盘中。

低端SSD之福:三星量产1xnm 16GB TLC闪存

 

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