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Renesas发布两款4Gb AG-AND芯片
来自ixbtlabs的消息:Renesas Technology(瑞萨科技)近日发布了2款4Gbit AG-AND(辅助栅极与门) 闪存芯片,R1FV04G13R和R1FV04G14R,分别采用512MBx8和256MBx16两种结构,采用90nm芯片制程,通过使用辅助栅防止单元间干扰以及多级单元技术,可提供高达10兆字节/秒的速度。该芯片主要用于NAND闪存设备,并且将在11月份投入量产。
此项新技术使得活动画面及音乐等大容量内容资料的快速下载及携带成为可能。因此,以前局限于数字相机及PC使用的内存,现在可扩展到行动终端及数字家庭用具,从而扩展了将闪存作为存储媒介的系统解决方案的范围。
AG-AND是由日立及瑞萨科技联合开发的一种闪存内存单元。该单元的结构采用了日立及瑞萨科技最初的电场隔离技术,该技术包括可防止单元间相互干扰的浮动辅助栅技术,从而可实现更小的单元面积及更高的编程速度。

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