在很早以前，很多地方已经开始报道19NM Nand芯片已经开始量产等新闻，到了现在，越来越多SSD采用新制程的闪存Nand芯片了。到底新制程的芯片与老制程的芯片有什么区别呢？我们先说下得失：

NAND闪存制程的提升，直接就能让Die尺寸以及成本得到减小，例如当年IMFT的34nm工艺下难以生产不出8GB的Die（需要两个Die），如果基于IMFT的25nm工艺，Die大小为167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米，面积缩减了30%，芯片产量则可以提高40%，成本大大降低。

东芝24NM闪存

东芝19NM闪存

虽然成本是比起以前大大降低了，不过有得有失，我们看看负面的影响：

1：Nand拥有更加先进的制程，因为物理特性的原因，在同样的空间要做出更加多的充放电动作，这则会增加读写数据的延时。延时增大了，性能很明显就会下降了。

2：不单只是增加延时的问题，密度的上升让SSD主控的纠错校正能力都受到了新的考验。新制程所带来的数据错误率比以前高，SSD的主控纠错能力要求就更加高了。例如：以前每KB只需要24b的ECC，现在就要40b的ECC了。

3：寿命，当年34NM的Flash演变到25NM，已经由普遍的5000P/E跌落到普遍的3000P/PE。当然有少数SSD采用了5000P/E，甚至1万P/E的Nand Flash。不过好遗憾的是，25NM到了20NM将会继续下降。

影驰Laser GT 采用了5000P/E数值的24NM Nand Flash

现在市场上还能找到少数24NM NAND的SSD，影驰Laser GT系列则是其中之一。

新制程的优势：更容易做大容量、而且能让SSD更加廉价。

老制程的优势：性能更优秀、寿命更加长、更稳定的运行性。

对比新制程的优势，新制程所带来的弊比利要更多。而选择什么样颗粒的SSD，还是要看各位用户的选择了。