多重目的寄存器：四个页面(Pages)，每页有四个8-bit寄存器，总共16个。

循环冗余校验(CRC)：写入CRC可以在DDR4数据总线上提供实时的错误检测，对于四种随机错误的检测率可达100％。

C/A对等功能可以检查命令与地址总线。

Die堆叠是实现DDR4更高存储密度的关键，当然这样对制造工艺、电路布局、信号传输、指令控制等都提出了更苛刻的要求，当然成本也会高不少。这种新的内存封装方式被称为“3DS”(不是任天堂掌机)。

制造技术上主要是流行的硅穿孔(TSV)，其它垂直电气连接技术也可以。每个Ball都与所有的Die相连。

内部Die配置上采用了主从区分的方式，其中主Die一个、从Die一至八个。只有主Die可以对外联系，其它Die都隐藏在幕后。

这种设计带来了更高的存储密度和带宽利用率，同时又保持了信号传输等方面的一致性和兼容性。如果使用4Gb(512MB)的Die，单条内存最大容量可达64GB，8Gb Die就可以实现128GB。