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Rambus再度出击:R+ LPDDR3内存闪亮登场
2013-01-29 11:38:16  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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Rambus虽然声名狼藉,但是在技术的确还是有一套的,今天又宣布了其首个专门面向移动领域的DDR3方案“R+ LPDDR3”。

这是Rambus R+内存方案家族的最新成员,基于桌面上的R+ DDR3架构重新设计而来,但完全兼容JEDEC LPDDR3、DFI 3.1这些业界标准(不是自己单独搞一套),并提供多模支持,可同时支持LPDDR3、LPDDR2。无论传输协议、电源状态、封装形式还是系统环境,R+ LPDDR3都完全向下兼容LPDDR3。

Rambus R+ LPDDR3内存整合控制器和DRAM接口,数据传输率支持1600-3200Mbps,也就是最高可达R+ LPDDR3-3200,此时带宽12.8GB/s,相当于现有LPDDR3架构的整整两倍。

R+ LPDDR3内存颗粒采用GlobalFoundries 28-SLP工艺制造(难得看见你一次),可以采用PoP封装,也可以使用单独封装,还部署了Rambus Near Ground Signaling(近阈信号)技术,信号摆幅(signal swing)只有0.3V,大大低于LPDDR3标准的1.2V,可在提高性能的同时大幅度降低I/O功耗。

Rambus官方宣称,R+ LPDDR3内存子系统工作功耗还可降低25%,内存颗粒工作功耗颗降低最多30%。

果真如此的话,移动设备的内存性能将有翻天覆地的变化,电池续航时间也会同时延长,但不知道Rambus能否在授权方面放开一些,推动这种好技术的普及。

Rambus再度出击:R+ LPDDR3内存闪亮登场

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