晶体管可不是“管”哦

在看过半导体芯片制造的大体流程之后，我们需要明确几个容易出“状况”的地方，这些小问题不仅产期困扰了很多的爱好者，还在认知层面给我们带来了许多的误区。想要理解CPU/GPU究竟是怎样制作出来的，这些小问题需要被首先纠正。

1、半导体工艺经常会提及“光刻”工艺，但绝大部分“光刻”并不像很多人想象的那样用硬X射线、强力激光、中子波束、1096beam或者黑龙波什么的在晶圆上直接以轰杀的方式挖沟拓渠。除很少一部分直接激光通孔之外，光刻工艺所“刻”的都不是晶圆本身，而是晶圆表面的覆胶。它的目的是让需要形成被加工的晶圆部位“露出来”，以便后续的蚀刻、掺杂、沉积等工艺的开展，并让不需要被加工的地方继续为覆胶所保护。

晶体管可不是“管”哦

2、“晶体管”并不是“管”，更不是用一把小镊子夹起来再插到晶圆表面的。微观电路中被我们讨论的晶体管尽管具有本质上与早期的晶体管完全相同的电学特性，但它早已经不再是矗立在包覆电极的一大坨晶体那样的尊荣了，实际上我们可以用“特殊电学性能区域”来称呼平时被我们叫做晶体管的那个东西。如果要对栅极的形象进行描述，它其实就是晶圆表面的一小块凸起或者凹陷，经由在其周围掺杂而具备了特定的电学特性，再借由栅极形成控制机制来达成对开关的控制，可以达到“晶体管”相同的功能和作用。

3、“XXnm工艺”所说的并不是晶体管或者说栅极的尺寸，这里说的是刻线宽度，亦即光刻过程预设的沟槽的宽度。

4、芯片并非只有一层，因为需要大量以公里为单位计的微观连线，芯片需要在栅极所在的逻辑层之上完成多达6~8层甚至10层的金属层，这些层被用来以空间的形式完成导线和互联，这就是我们常说的多层互联工艺。原则上互联层空间利用越有效，导线在逻辑层中出现的距离和所需空间也就越少。因此，优化互联方式或者直接上攻互联层都有助于芯片面积的减小以及功耗的控制。

多层金属互联

好吧，我们知道整个芯片的制造过程多少有些难以理解，所以我们还是继续原本就要进行的工作——烤披萨饼吧。在了解了一份美味的披萨从原材料准备到最终出炉瞬间的全过程之后，相信您将会对半导体芯片的制作过程有一个全新的认识。