继今年七月份在世界上首次量产相变内存(PCM)之后，美光今天又推出了第二款相变内存产品。

美光的首款相变内存采用45nm工艺制造，1Gb PCM颗粒加512Mb LPDDR2颗粒通过多芯片封装(MCP)方式组合在一起而成，二者共享LPDDR2系统接口，可简化软件开发并支持LTE Modem。今天发布的改成了512Mb PCM、512Mb LPDDR2的组合，可根据应用需要提供更大的灵活性。

二者都采用121-ball WFBGA封装，运行电压1.8V，数据总线宽度16-bit，耐受温度范围-20～+85℃。

美光还同时宣布，1Gb+512Mb的正在大批量出货，并得到了诺基亚的青睐，已用于其新款Asha系列手机中，而诺基亚也是对美光的这种相变内存赞赏有加。

美光相变内存目前主要面向传统的功能性手机，未来会争取进入智能手机和平板机。

顺便介绍一下相变内存的主要特性：

－ 随机读取性能最高400MB/s

－ 位可变性(bit alterability)，无需擦除

－ 代码执行无需主ECC

－ 耐久性超过10万次写入循环

－ 通过浮动栅极技术改进数据保持性，写入循环不会导致数据损耗

－ 更低功耗

－ 符合JEDEC标准规范

－ Intel Mobile、TI OMAP PandaBoard、Android平台验证

－ 更紧凑的封装、更小的PCB

－ 降低物料成本