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韩国DRAM厂商加快向20nm工艺迁移步伐
2012-10-23 16:38:23  作者:Edward 编辑:Edward   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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据业内消息人士透露,三星与海力士两家DRAM芯片厂商都已表示将加快向20nm制造工艺的产能转移速度。

预计到2013年时,采用20nm工艺制造的DRAM芯片将会成为这俩家厂商的主要产品,同时市场中的30nm工艺DRAM芯片将逐渐退居二线。

另外,消息还称未来三星和海力士会把业务重点从目前已经供大于求的PC DRAM市场转移至更具发展潜力的移动设备及服务器市场,并且将率先为后者推出容量为4GB的20nm工艺DRAM芯片产品。

与此同时,美光科技、南亚科技以及华亚科技也表示会在完成向30nm工艺过渡的同时,进一步加大在移动DRAM和服务器内存芯片市场中的投入力度。

其中,台湾华亚科技预计能够在2013年中期完成向30nm工艺的过渡,届时其将具有月产40000块12英寸晶圆的能力。

韩国DRAM厂商加快向20nm工艺迁移步伐

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