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TLC闪存会读不会写:三星840固态硬盘性能预览
2012-09-28 10:46:55     作者:上方文Q 编辑:上方文Q[爆料]点击可以复制本篇文章的标题和链接 收藏文章

三星最近发布的840 Pro、840系列固态硬盘都升级到了21nm工艺闪存,但面向主流市场的后者使用了可靠性和耐久性都稍差的TLC NAND闪存,引来了不少人的质疑。840 Pro已经被证明表现近乎完美,那么840又会如何呢?AnandTech已经拿到了840 250GB的样品,今天首先分享了部分测试数据,让大家一窥TLC NAND闪存究竟是个什么样子。

TLC闪存会读不会写:三星840固态硬盘性能预览

居然用了TLC 三星840 SSD规格/售价曝光

TLC闪存会读不会写:三星840固态硬盘性能预览

高负载平均数据率测试中,840 Pro遥遥领先其它产品,上代830也表现很不错,840就有些跟不上了,属于中游水平,比之840 Pro慢了大约四分之一。840一方面固件稍差一些,TLC NAND闪存更是“罪魁祸首”,其读取延迟影响不大,但是擦写循环时间长得多,导致写入延迟增加了50%。

TLC闪存会读不会写:三星840固态硬盘性能预览

低负载情况下因为更偏重读取,成绩就好多了,840仅次于840 Pro而位列第二。三星工程师也强调说,他们在840身上更注重读取性能,因为这更符合消费者的使用情况。这倒也有些道理。

详细评测稍后奉上。

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