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Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验
2012-04-05 15:37:27  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

在推出自己的新一代主控Indilinx Everest 2的同时,OCZ还发布了基于该主控的新款固态硬盘“Vertex 4”,同样以超高的IOPS作为最大卖点。之前两代Vertex 3/2的主控分别是SandForce SF-2218/SF-1221。

2.5寸规格的Vertex 4整体尺寸99.8×69.93×9.3毫米,重量101克,仍旧采用IMFT公司(Intel/美光合资)的25nm工艺同步NAND闪存芯片,容量128GB、256GB、512GB(单颗容量分别为16/16/32GB),同时还有2×512MB DDR3-800缓存未来还会增加1TB容量,以及2×256MB缓存版本

性能方面,三款型号的最高持续读取速度均为535MB/s,写入则是200/380/475MB/s三个级别,随机4K读取性能90000 IOPS、写入性能85000 IOPS,另外最大IOPS 120000。

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

Vertex 4采用SATA 6Gbps接口,平均故障间隔时间200万小时,支持BCH ECC数据路径保护、256-bit AES数据加密、TRIM、动态与静态损耗均衡、幕后垃圾回收、NDurance 2.0等技术,功耗待机1.3W、读写2.5W。

Vertex 4现已出货上市,三种容量的建议零售价分别为179美元、349美元、699美元,五年质保(之前是三年),附送3.5寸支架。 

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

官方高清图:

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

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【Vertex 4 512GB实物拆解】

和去年的第一代主控Everest一样,新发布的Everest 2也是一颗65nm G工艺制造的SoC芯片,基本的双核心架构也延续了下来,只不过频率从333MHz提升至400MHz,同时去掉了之前的一些限制,自然有利于提升性能。

可惜更多资料就谁也没有了。

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验
Everest架构图:Everest 2也差不多

AnandTech拿到的测试样品是256GB、512GB两种容量版本,分别使用了十六颗双die、四die封装的Intel 25nm MLC NAND闪存芯片,单颗容量16GB、32GB。128版本应该是八颗双die 16GB。

OCZ还正在使用Everest 2主控搭配测试Intel 20nm NAND、24nm Toggle模式的新闪存,均已可正常工作,但固件还没有完成优化。OCZ透露说,未来的Vertex 4 1TB版本几乎肯定会使用来自东芝的Toggle NAND,八die封装,单颗容量64GB,比之Intel的更好。

缓存芯片在PCB正反面各有一颗,是来自美光的512MB DDR3-800 DRAM,带宽3.2GB/s。Everest 2主控会将读取请求从NAND闪存预取到DRAM缓存中,从而将传输速度推进到SATA 6Gbps接口的极限。

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

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【随机读写性能】

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Iometer 4KB随机读取

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验
Iometer 4KB随机写入

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队列深度QD=32时候的Iometer 4KB随机写入

都是相当的彪悍哪。

【持续读写性能】

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Iometer 128KB持续读取:明显反常。 

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AS SSD不可压缩持续读取:这些好多了但还是有点儿落后。

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ATTO QD=2/4/8:很明显,队列深度较低的时候Vertex 4持续读取速度非常慢,传输尺寸或者队列深度增大后才赶上来。

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Iometer持续读取速度与队列深度关系图:Vertex 4不太擅长处理单个IO队列,也就是任务越繁重它反而越来劲。

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为了验证,我们将3GB文件从固态硬盘拷贝到高速的RAM Disk上,Vertex 4果然表现出色。看起来OCZ还要针对低队列深度做固件优化才行。

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持续写入倒是一点不弱。

【AnandTech Storage Bench 2011高负载】

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平均数据率

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平均读取速度

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平均写入速度

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磁盘工作时间

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磁盘工作时间(读取)

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磁盘工作时间(写入)

【AnandTech Storage Bench 2011低负载】

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平均数据率

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平均读取速度

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平均写入速度

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磁盘工作时间

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磁盘工作时间(读取)

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验
磁盘工作时间(写入)

【PCMark 7】

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

与三星830基本差不多但距离Vertex 3还有一点点差距,不过OCZ认为这已经足以让他们抛弃SandForce而自立门户了。

【TRIM性能】

OCZ号称Vertex 4/Everest 2能大幅减少写入放大,所以在TRIM不可用或者未启动的时候,最糟糕条件下的写入性能应该也会有大幅改进才对。

作为验证,我们向所有可用的LBA内写入持续数据,然后再写入20分钟的4KB QD=32随机数据,最后用HDTach衡量写入性能,结果发现比Everest Octane好多了。

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验

Vertex 4还支持空闲时间垃圾回收,不过优先度非常低,必须完全空闲至少一个小时才会启动。

当然了,TRIM还是最好的,一次就可以让性能焕然如新: 

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【功耗】

Vertex 4的待机功耗有些过高,1.3W已经高于很多5400转2.5寸硬盘的待机功耗了。OCZ也承认这是个问题,会在下个固件版本中解决,会降低到大约0.7W。另外可以看到,三星830的也不低。

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验
持续写入

Everest 2新主控发飙:OCZ Vertex 4深入体验
随机写入

读写状态下还好一些,至少比三星830低不少,性能又差不多。如果新固件也能改善一下,那最好了。

 

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