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SanDisk宣布已投产19nm NAND闪存
2012-01-30 11:50:38  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

SanDisk(闪迪)宣布,已于去年底开始投产19nm新工艺的NAND闪存芯片,并对此工艺所能带来的更好性能、更低成本寄予厚望。

SanDisk CEO Sanjay Mehrotra在财务会议期间对分析人士表示:“我们在(2011年)第四季度开始了19nm技术(NAND闪存芯片)的生产,将在2012年全面量产。

他同时也强调了新工艺面临的难题,那就是技术难度日渐提高,对节约成本的贡献却没那么大了:“正如我们之前解释过的,NAND闪存工艺越来越复杂,技术转换所带来的成本节省幅度也越来越小。19nm所能产生的成本降低幅度就会低于24nm。

据披露,SanDisk正在使用19nm工艺制造2bpc MLC NAND、3bpc TLC NAND闪存芯片。具体良品率未公开,只是说正在按预期增加SanDisk的容量产能。

Sanjay Mehrotra也承认,TLC NAND闪存目前并不适合商业关键企业应用,而是更适用于消费级固态硬盘。这也和OCZ的看法不谋而合。

他说:“我们会寻求将3bpc用在消费级固态硬盘上的机会。企业固态硬盘上,我认为仍将完全是2bpc的天下,毕竟企业应用都需要高性能、高可靠性。”

SanDisk 2011年第四季度收入15.77亿美元(按照GAAP),毛利润6.62亿美元,营业利润4.16亿美元,同比分别增长18.8%、14.9%、16.5%;全年收入56.62亿美元,毛利润24.39亿美元,营业利润15.30亿美元,分别同比增长17.3%、7.8%、4.7%。

SanDisk宣布已投产19nm NAND闪存

 

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