新闻中心

当前位置 > 新闻中心> 电脑办公 > 内存 > 20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒
20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒
2011-11-30 16:47:43  作者:ChrisR 编辑:ChrisR   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
让小伙伴们也看看:
收藏文章

来自SemiAccurate网站的消息称,三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒,采用移动设备中常用的LPDDR2界面,此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb,是它的1/8。

新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造,几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限

相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点,具有断电不掉数据,耐久性好,速度快等优点;根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。

预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。

20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒
三星最早造出的512Mbit相变内存颗粒采用60nm工艺制程

文章纠错

微信公众号搜索" 驱动之家 "加关注,每日最新的手机、电脑、汽车、智能硬件信息可以让你一手全掌握。推荐关注!【微信扫描下图可直接关注

阅读更多:默认

好文共享:
收藏文章

文章观点支持

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
热门评论
热门文章