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尔必达宣布移动设备DDR3内存开发完成
2011-11-24 17:38:49  作者:ChrisR 编辑:ChrisR   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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日本尔必达公司近日宣布,针对下一代移动设备如智能手机和平板电脑的LPDDR3内存颗粒开发完成,预计年底开始试产,2012年下半年开始量产。

目前市面上的所今ARM架构SoC处理器以及新鲜亮相的NVIDIA Tegra 3,高通Snapdragon S4集成的内存控制器均为LPDDR2。尔必达这一产品瞄准的应该是ARM Cortex-A15架构SoC上市后的广大市场空间,以及有可能加入战局的Intel Medfield核心SoC。

尔必达新鲜研发的LPDDR3内存颗粒采用30nm CMOS制程,FBGA封装,颗粒带宽32bit。速度方面最高可达1600Mbps(等效DDR3-1600),内存带宽可达6.4GB/s

功耗方面,新的LPDDR3内存颗粒运行电压1.2V,相比上代LPDDR2功耗可减少约25%。此外,还可采用PoP(Package on Package)堆叠式封装制造8Gbit或16Gbit的颗粒。

尔必达宣布移动设备DDR3内存开发完成
用于移动设备的LPDDR2与LPDDR3内存颗粒规格对比

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