高通Krait核心具有三级缓存结构，低级别的两级缓存为每个核心独享，而第三级别缓存为所有核心共享，高通将每个级别缓存按级别从低至高命名为L0、L1和L2.

每个Krait核心具有8KB L0缓存（4KB指令+4KB数据）。L0缓存可在单周期中直接存取，高通称L0缓存有85%的高命中率，使得CPU不必经常访问L1缓存以节省能耗。高通采用的缓存层次结构为独家设计，L0缓存中的数据不必在L1中留有副本。

每个核心还具有32KB L1缓存（16KB指令+16KB数据），采用4路组相联设计，同样可以在单周期中访问。

L2缓存为所有核心共享，双核Krait中L2容量为1MB，相比之下Scorpion中为512KB；四核Krait容量将进一步上升到2MB。Krait的L2缓存为8路组相联设计。

L0与L1缓存频率与核心相同，电压也一样。而L2缓存为省电采用独立设计方式，拥有自己的运行频率，将根据任务负载实时调整，最大为1.3GHz。

内存控制器部分，尽管上代Scorpion内置双通道LPDDR2内存控制器，但通常情况下内存只能利用到其中一条通道。要利用完整的两条32bit通道，必须在PCB上采用两块32bit DRAM封装的形式。由于高通单通道控制器的效率不低，很多OEM厂商都弃另外一通道不用。

而Krait解除了这一限制，现在OEM常常可以简单把两个32bit DRAM堆叠在一个封装内即可完整利用双32bit内存控制器，预计在性能上对比Scorpion会有不少提升。

制造工艺与频率、功耗控制

Krait将是世界首个采用28nm制程的智能手机/平板电脑CPU，高通目前的制造合作方包括台积电与GlobalFoundries两家，而前者将制造首个Krait芯片也是制造主力。因高通考虑采用TSMC的非HKMG工艺会有更小的风险，Krait前期将采用台积电标准28nm LP工艺制造。在高通白皮书PDF给出的对比图中，Krait核心MSM8960的对比对象为NVIDIA采用40nm LPG混合工艺的Kal-El。高通对于制造工艺的态度是，40nm G晶体管只有在全程高频时才有意义，其余多余情况下纯LP工艺晶体管三个更有优势。

和Scorpion一样，Krait每个核心也有自己的独立频率/电压控制机能。高通称这种设计可在多种不同负载率下拥有功耗优势。

首个使用Krait核心的高通SoC为双核1.5GHz的MSM8960，明年该CPU预计将推出制程进一步改进的版本，频率可达1.7-2.0GHz。高通称当Krait与Scorpion核心电压同为1.05V时，Krait的极限频率为1.7GHz，相比之下Scorpion最多只能达到1.55GHz；此时运行相同的某个任务时Krait的功耗为265mW，Scorpion 432mW。虽然满载时Krait可能会比Scorpion消耗更多的电能，但总体上来说Krait运行任务效率高，进入待机状态时功耗下降速度快，总体看来电源管理方面对比上代Scorpion还是有所提高。以此推算，智能手机与平板电脑的实际续航即使没有改进，最坏情况也是与之前持平。

L0与L1缓存频率与核心相同，电压也一样。而L2缓存为省电采用独立设计方式，拥有自己的运行频率，将根据任务负载实时调整，最大为1.3GHz。

内存控制器部分，尽管上代Scorpion内置双通道LPDDR2内存控制器，但通常情况下内存只能利用到其中一条通道。要利用完整的两条32bit通道，必须在PCB上采用两块32bit DRAM封装的形式。由于高通单通道控制器的效率不低，很多OEM厂商都弃另外一通道不用。

而Krait解除了这一限制，现在OEM常常可以简单把两个32bit DRAM堆叠在一个封装内即可完整利用双32bit内存控制器，预计在性能上对比Scorpion会有不少提升。