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Intel、美光宣布全球最先进20nm闪存工艺
2011-04-15 09:09:35  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

虽然25nm NAND工艺进展不顺,但技术前进的脚步永远不会停歇,Intel、美光今天又联合宣布了最先进的20nm工艺。

20nm工艺依然由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies(IMFT)负责制造,可以生产出容量达64Gb(或者说8GB)的MLC NAND闪存颗粒,而且核心面积仅仅118平方毫米,相比25nm 8GB NAND闪存减小30-40%。

Intel宣称,闪存工艺从25nm进步到20nm之后,所能提供的容量可比现有34nm工艺增加大约50%,同时20nm工艺闪存颗粒的性能和耐用性仍会维持在与25nm类似的水平上。

IMFT 20nm 8GB NAND闪存颗粒已经试产,预计2011年下半年投入量产。届时,Intel、美光将会一方面拿出容量翻番的16GB颗粒,另一方面公布面积跟一张邮票差不多大小的128GB固态硬盘。

Intel、美光宣布全球最先进20nm闪存工艺
IMFT 20nm 64Gb NAND闪存颗粒

Intel、美光宣布全球最先进20nm闪存工艺
两个34nm 32Gb与单个25/20nm 64Gb NAND闪存颗粒对比

 

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