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东芝震后宣布量产24nm工艺嵌入式NAND闪存
2011-04-06 16:36:37  出处:   编辑:Skyangeles     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

国际电子商情报道,东芝日前发布基于24纳米工艺的“SmartNAND™”系列产品。通过此产品,东芝将进一步扩大其NAND闪存的产品线。“SmartNAND™”在NAND封装中集成错误管理系统。全新芯片可以简化系统端的设计,并且可以将先进工艺的NAND应用于消费电子产品中,包括数字音频播放器、平板电脑、信息设备、数字电视、机顶盒和其他需要大容量非易失性存储器的应用。

全新SmartNAND产品系列的样品将于四月中旬面市,将于2011 年第二季度(四月至六月)正式开始量产。

SmartNAND 产品系列将前沿的24纳米工艺NAND 闪存与支持纠错码 (ECC)的控制芯片有机整合。最新的产品线包含4至64千兆字节 (GB)的五种容量,尤其旨在实现协议变更最小化的同时减轻系统端在处理ECC时的负担。SmartNAND 产品家族主要针对便携式媒体播放器、平板电脑和其它消费数字产品。

全新24纳米产品系列将取代当前的 32纳米产品,其先进工艺结合了处理速度更快的控制器和内部接口,从而能实现更快的读写速度,提高整体性能。SmartNAND 也支持一系列读写速度,以适应不同的设计目标,新的产品将提供四种读取模式和两种写入模式。

东芝震后宣布量产24nm工艺嵌入式NAND闪存

新产品继续使用传统NAND接口,并包括一系列针对大容量和高性能应用所优化的全新功能。管理比特错误对于数字产品维持可接受性能和可靠性而言至关重要。将错误管理系统与 NAND 闪存集成在同一封装中,有利于东芝客户利用大容量,且具有卓越错误管理性能的先进闪存解决方案。

目前市场对于支持高分辨率视频和增强型存储的大容量存储芯片,特别是包含控制器功能的嵌入式存储器的需求不断增长。包含控制器功能的嵌入式存储器能最大程度地降低开发要求,降低集成至系统设计中的难度。东芝已成为此关键领域中的领头羊。现在通过进一步升级SmartNAND,东芝将巩固其领先地位。

东芝震后宣布量产24nm工艺嵌入式NAND闪存

主要特点:

1. 集成纠错(ECC)和前沿的24纳米工艺能提高速度性能,使得读取速度和写入速度较当前产品分别快1.9倍和1.5倍。

2. 东芝的SmartNAND提供一系列读写速度以优化速度性能;将提供四种读取速度及两种写入速度。为满足低功耗要求,我们也提供省电模式。

3. 东芝的SmartNAND使用标准的 NAND接口,可应用于现有的主控制器,必要时只需简单的驱动软件支持。所有这些能简化系统开发,从而确保厂商节约开发成本,缩短新产品和升级产品投入市场的时间。

产品规格:

东芝震后宣布量产24nm工艺嵌入式NAND闪存

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