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OCZ固态硬盘率先成功转向2xnm NAND闪存
2011-02-16 14:27:46  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

OCZ今天宣布,自己是第一家成功完成向2xnm工艺NAND闪存技术转换的固态硬盘厂商。

不过OCZ并未公布具体的2xnm固态硬盘产品计划,只是说所有的新工艺产品都将和3xnm版本享受同样的质保服务,而且会继续以较高的单位价格提供3xnm工艺固态硬盘,换句话说就是新工艺型号更便宜。

OCZ还表示,随着闪存业界开始转向2xnm工艺,OCZ会继续提供高性能的固态硬盘产品,继续为各层次消费者用上固态硬盘而铺平道路,最终在几年后彻底取代传统机械硬盘。

另据了解,OCZ所谓的2xnm工艺确切来说是25nm,此时NAND闪存写入循环仅为3000次,大大低于34nm工艺的5000次,所以为了确保足够长的生命周期,新工艺固态硬盘必须使用更多的预留空间,因此用户实际能够使用的容量又会减少一部分,大约4-5GB。

 

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