从去年宣布SF-1000系列固态硬盘控制器开始，SandForce这家之前名不见经传的公司迅速成为了固态存储领域的生力军。采用其控制芯片的固态硬盘占据了中高端市场的主流位置，几乎成为唯一一家能够和Intel方案产品抗衡的控制器方案。

今天，SandForce又宣布了他们的第二代产品SF-2000系列。新系列在性能、安全性、兼容性、可靠性和能效上都有改进，最引人注目的自然是在性能方面：SATA 6Gbps接口，60000 IOPS随机读写，500MB/s连续读写的性能绝对是目前的SATA固态硬盘的巅峰表现。

下面，我们就来详尽介绍SF-2000系列固态硬盘控制器的各种特色。作为第二代升级产品，SandForce自然不会全然抛弃第一代芯片的主打特色。今年年初我们介绍的SandForce控制器标志性的DuraWrite技术，在SF-2000系列中得到了保留。

简单的说，这项技术在控制器芯片中使用实时压缩和重复数据删除算法，让实际写入闪存的数据比操作系统要求写入的数据要少。比如安装Windows Vista和Office 2007，写入数据总量为25GB，但在SandForce方案固态硬盘中实际写入闪存的仅有11GB，写入放大率低于0.5。

实际写入数据少，速度自然出众。同时，SandForce还引入了RAISE数据冗余技术和加密技术，保证压缩数据的安全性。这些在SF-2000系列中都依然有效。

闪存支持

SF-2000系列的一大改进在于对NAND闪存的兼容性，包括ONFI 2和Toggle Mode接口的闪存都在支持范围内。

普通用户可能并不需要了解ONFI 2和Toggle的具体技术原理，只需要了解到：这种技术就相当于闪存中的DDR，可以在DQS信号的上升和下降过程各传输一次数据。相比传统NAND闪存单颗芯片40MB/s的速度限制，ONFI 2和Toggle Mode都可以达到166MB/s。

美光表示，双路NAND闪存阵列的读取速度可达330MB/s，写入33MB/s。通过支持ONFI 2和Toggle接口，SandForce可以消除之前的性能瓶颈，大幅提升读写速度。同时，SF-2000还将通过同时控制更多的闪存核心来提升性能。它能够同步读写的闪存核心数量是SF-1200/1500的两倍。

目前，SF-2000系列对应的主要是美光的34nm eMLC闪存和东芝的32nm eMLC闪存，未来也会支持25nm闪存。和Intel一样，SandForce也选择了企业级MLC（eMLC）来替代SLC闪存，对应企业级服务器存储市场。