GlobalFoundries在自家举办的全球技术大会上宣布，28nm制造工艺将增加新的高性能版本“28nm HPP”(High-Performance Plus)。

GF解释说，相比于典型的28nm HP工艺，28nm HPP可将芯片性能提升大约10％，支持2GHz以上的工作频率，主要面向智能移动设备和高性能处理器，同时可以选择超低漏电率晶体管和SRAM单元，将其应用领域从高性能拓展到低功耗。

除此之外，GF还会提供丰富的RF CMOS技术，从而让28nm HPP成为下一代高性能SoC片上系统设计的理想平台，无论高性能还是低功耗设备都有广泛的应用前景。

GF宣称，如果客户已经基于28nm HP工艺设计了高性能芯片，那么在产品生命周期后期就可以借助28nm HPP新工艺设计更高性能的升级版来更新产品线，而无需完全重新设计整个芯片。这倒是非常符合Radeon HD 6000/5000系列的换代策略。

除了两种高性能版本，GF 28nm工艺还有一个超低功耗版本28nm SLP，面向对功耗非常敏感的移动和消费电子设备。三种版本都会使用HKMG、Gate First技术。

GF计划2011年第四季度开始28nm HPP工艺的风险性试产，有望成为AMD未来全新架构显卡的秘密武器。

GF还同时公布了22/20nm工艺路线图：计划2011年下半年提供测试芯片，2012年下半年开始风险性试产，2013年正式为客户投产。20nm工艺将有HP高性能、SLP超低功耗两个版本，22nm工艺则专注于超高性能(SHP)。

GF 28nm HP/HPP工艺简介

GF 28nm SLP工艺简介