20nm NAND闪存工艺或推动固态硬盘普及--快科技--科技改变未来

20nm NAND闪存工艺或推动固态硬盘普及

2009-11-25 17:45:44 出处：快科技作者：上方文Q 编辑：上方文Q 评论(0)

业界厂商和观察人士普遍认为，等到2011年各大NAND闪存芯片供应商步入20nm工艺时代的时候，固态硬盘才会在PC市场上开始真正普及。

目前投入量产的最先进的NAND闪存工艺是34nm和32nm。东芝及其合作伙伴SanDisk已经计划从2010年下半年开始投产20nm NAND闪存，Intel和美光也准备在近期就迈入2xnm时代。根据Intel、Numonyx合作研发的新技术，NAND闪存工艺能够进化到5nm。

24-25日，来自台湾和内地的众多IT企业人士组织了一个专题研讨会，意在探寻制定通用技术标准的可能性。A-DATA、Condel、JMicron、Slicon Motion等众多存储设备厂商的高管，以及固态硬盘协会(SSDA)互通总监Mark Lai、中国普天研究院院长陈庆方等都参加了研讨。

有厂商代表还指出，内地和台湾应该联合起来，共同开发和制定固态硬盘的标准规范，以挑战拥有相关核心技术的国际厂商。

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