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台积电40nm工艺良率再度降低至40%
2009-10-30 16:01:59  出处:快科技 作者:张以军 编辑:张以军     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

台积电CEO张忠谋在7月底的时候就表示40nm良率已达60%,然而近日又有消息传出台积电在40nm工艺上再遇障碍,良率下降至40%。这一消息也得到了台积电主席张忠谋的证实,不过他表示本季度就可解决该问题。

根据张忠谋的介绍,台积电此次遇到的是设备腔体接合(chamber matching)问题。AMD此前已经发布了采用40nm工艺的Radeon 5870显卡,而NVIDIA则计划在12月发布基于该工艺的GT300显卡核心,台积电40nm良率的再度降低有可能会影响到两大客户的产品销售计划。

根据台积电刚刚发布的第三季度财报,45/40nm工艺的晶圆收入占到了总收入的4%,四倍于第二季度,台积电还打算到年底时将此数字提高到10%。

此外鉴于40nm、65nm工艺晶圆需求的增加,台积电首席财务官Lora Ho表示,他们已经将本年度的财政预算提高至27亿美元。

台积电40nm工艺产量率再度降低至40%

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