来自美国莱斯大学和北卡罗来纳州立大学的科学家日前宣布，他们已经开发出了一项新工艺，有望改进半导体厂商的芯片制造过程，延续摩尔定律，打造更小更强悍的芯片。

讨论该技术的论文已经被发表在本月的美国化学学会通讯杂志上，文章名为“硅基设备的可控分子导电性调节”，其基本思想为：用一种类似“嫁接”的工艺替代半导体制造中的关键步骤：掺杂。

在传统的半导体制造工艺中，硅晶圆经过光刻、蚀刻已经形成了所需电路的基本外观，这时需要通过注入不同元素（即杂质），改变晶圆中某些位置的导电性质，形成拥有正确功能的电气元件，这就是所谓的掺杂工艺。

而该项目带头人，莱斯大学教授James Tour表示，他们的新工艺使用了一种“单层分子嫁接”工艺，即将均匀的单层杂质分子贴附在所需掺杂位置的硅基板表面上，而不需要像传统工艺那样将杂质和硅材质混合。根据他们的研究，这样“嫁接”式的表面掺杂仍然可以起到和传统掺杂同样的效果，甚至在纳米级的制造工艺中效果更好。

James Tour称，由于全球企业和科研机构已经在硅基半导体技术上投入了数以亿计的美元和大量人力，那些试图放弃硅技术转而投向其他材料的努力往往很难取得良好效果。因此，在硅技术上进行改进是目前最明智的做法。他认为，他们的技术能够让“Intel、美光三星等厂商尝试新的制造工艺”，延续摩尔定律。