没错，就是Intel刚刚发布的34nm工艺第二代固态硬盘X25-M(下称X25-M G2)。下边我们对比第一代50nm工艺产品(下称X25-M G1)，看看内外部构造和读写性能有何不同。

从外表上看，X25-M G2抛弃了此前的黑白两色方案，改为银色和白色，据说更加环保。

X25-M G2的四周边框上还加装了塑料垫圈(高科技塑料圈)，用于安装在9毫米2.5英寸驱动位，拧下四周的螺丝将其拿掉后可安装在7毫米2.5寸驱动位里。

今天对比的两款X25-M都是160GB容量，但内部构造大为不同。50nm X25-M G1 PCB正反两面各安装了10颗MLC NAND闪存芯片(编号“29F64G08FAMC1”)，单颗容量8GB，而34nm X25-M G2的单颗芯片容量翻番到了16GB(编号“29F16B08JAMD1”)，因此只在正面安装了10颗，背面留空。很显然，一旦Intel和美光联合投资的34nm NAND生产线完全开工，Intel就可以再放上去10颗芯片，推出320GB型号。

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