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DX10.1+GT200+40nm+GDDR5:NVIDIA笔记本显卡华丽五连击
2009-06-16 01:38:37  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

NVIDIA刚刚正式发布了五款GeForce 200M系列笔记本显卡,不但在NVIDIA史上首次全部采用40nm新工艺,并开始配备GDDR5显存,还加入了对DX10.1的支持。此前虽再度有相关传闻,但就在DX11迫近之际,NVIDIA竟然真的接纳了长期“恨之入骨”的这一技术,实在让人难以捉摸,NVIDIA也尚未对此做出正面解释。

还有就是,与此前推出的高端型号GeForce GTX 280M/260M不同,今天的五款新品虽然名字类似,但在制造工艺从55nm进步到40nm的同时,也已经不再使用G9x核心架构,而是终于引入了更强大GT200,只不过规格上做了大幅精简,以适应笔记本环境和主流市场的需要。

NVIDIA宣称:“相比于上一代(架构芯片),(新产品)对微架构的调整能延长电池续航时间,并提升整体图形性能。”以GeForce GTS 260M为例,虽然流处理数量更少、显存位宽更窄,但几乎已经和GeForce GTX 260M一样快。

关于台积电40nm工艺的良品率问题,NVIDIA发言人回应说没碰到过这种麻烦,“我们使用了台积电40nm生产能力的80%左右”。

NVIDIA还表示,今年底的时候会有“上百款”笔记本配备今天发布的新卡。

GT200架构、DX10.1技术、40nm工艺、GDDR5显存——NVIDIA今天着实给我们带来了一个大四喜,绝非简单地又一层“马甲”。

DX10.1+GT200+40nm+GDDR5:NVIDIA笔记本显卡华丽五连击

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GeForce G210M”是本次发布的最低型号,面向主流市场,图形性能标称10倍于Intel GM45,功耗相比上代GeForce G110M降低50%

规格方面只有16个流处理器,显存位宽仅64-bit,可搭配800MHz GDDR3或500MHz GDDR2显存,最大容量可达1GB,同时以625/1500MHz的核心/Shader高频率做弥补,浮点性能72GFlops,热设计功耗只有14W。

DX10.1+GT200+40nm+GDDR5:NVIDIA笔记本显卡华丽五连击

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GeForce GT 240M/230M”面形性能级市场,号称可带来30倍于Intel GM45集成显卡的性能,并支持Windows 7 GPU加速和PhysX物理加速。

二者均集成48个流处理器,位宽仍为128-bit,不过标配显存改为1GB GDDR3,频率最高800MHz、带宽25GB/s,也可以使用GDDR2以进一步降低成本,频率最高600MHz、带宽16GB/s,技术特性方面不再支持SLI,其它全部保留。

GeForce GT 240M核心/Shader频率550/1210MHz,浮点计算能力174GFlops,GeForce GT 230M频率和浮点性能降至550/110MHz、158GFlops,不过热设计功耗同为23W。

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GeForce GTS 260M/250M”面向高性能领域,宣称可在流行3D游戏里比上一代GeForce GTS 160M/150M提速50%之多,规格方面均集成96个流处理器、位宽128-bit、搭载1GB GDDR5显存、支持VGA/DVI/HDMI/DisplayPort输出,技术特性方面支持2-Way SLI、DX10.1、OpenGL 2.1、OpenCL、PureVideo HD、PhysX、CUDA、HybridPower、PowerMizer 8.0、PCI-E 2.0等等。

不同之处在于,GeForce GTS 260M核心/Shader/显存频率550/1375/3600MHz,浮点计算能力396GFlops,热设计功耗达38W;而GeForce GTS 250M频率降至500/1250/3200MHz,浮点计算能力360GFlops,热设计功耗为28W。

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规格总结简表:

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