海力士公司日前宣布，他们已经应用54nm制程工艺，成功开发出全球首颗2Gbit Mobile DRAM存储颗粒。
这颗2Gb颗粒是目前MCP多芯片封装和PoP层叠封装平台中存储密度最高的Mobile DRAM产品，在1.2V电压下最高速度为400Mbps，在32bit I/O系统中每秒最高处理1.6GB数据。另外，海力士表示该颗粒的功耗比目前的1Gb Mobile DRAM还要小。
该颗粒符合JEDEC标准，主要面向MID、UMPC等高存储密度掌上设备，预计在明年上半年投入量产。
