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台积电宣布2010年上马28nm工艺
虽然一再推迟的40nm工艺还没有投产,台积电已经把眼光放在了更长远的未来,计划于2010年第一季度上马28nm生产工艺。
28nm对台积电来说是一次跨世代的新工艺(full-node),而不是55nm之类的过渡性工艺(half-node),届时会引入高K金属栅极技术,而该技术原计划在32nm工艺里实现。
台积电28nm工艺分为注重低功耗的“28LPT”和强调高性能的“28HP”两个版本,后者适用于图形芯片、处理器等产品,预计2010年上半年开始投入代工。
台积电表示,其28nm工艺技术已经得到Alpha版设计套件的支持,并将于今年底提供“虛拟特快车”(CyberShuttle)服务的原型。
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