| PNY 1GB DDR3-1333介绍
于2007年上市的的DDR3内存虽然目前还面临着成本较高，延迟过大，初代产品性能不理想等问题，但不能否认注入了众多新技术的DDR3内存的前途是非常光明的。而且，随着Intel P35芯片组的推出，DDR3内存也不再是仅仅停留在纸面上的产品，作为欧美地区用户知名度和市场占有率第一的美商必恩威公司（PNY）不久前就推出了频率为1333MHz的DDR3内存，堪称是目前市场同类产品中不可多得的精品。
 
PNY 1GB DDR3-1333内存外观非常考究，硕大的金属散热片给人一种俨然收藏品的感觉。该款产品的金属散热片表面经过了镀镍工艺处理，不仅光亮如镜，而且热传导性能较普通金属材质更为优异。内存正/反两面分别焊接有8片FBGA封装DDR3内存芯片，由于散热片粘贴实在太牢靠，强行拆封势必会损伤颗粒，我们最终没有揭开散热片去观察显存颗粒。
产品正面两侧分别有规格标签和DDR3徽标，产品背面两侧则分别有PNY商标和DDR3徽标。通过金手指下的引线可以看出，内存金手指采用电镀工艺，这可以让内存具备更好的电气性能，同时有效避免金手指氧化。
测试成绩及小结
测试使用的硬件平台由Core 2 Extreme X6800 CPU、两款分别配置DDR3和DDR2内存的P35芯片组主板构成，我们加入了DDR2-1066进行对比。
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系统硬件环境
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中央处理器
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Intel Core 2 Extreme X6800
( 双核 / 266MHz*11 / 4MB共享L2缓存 )
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Thermalright SI-128( 使用Nidec 12038风扇 2350RPM )
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内存模组
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PNY DDR2-1066 1GB *2
( SPD 1066_6-6-6 )
PNY DDR3-1333 1GB *2
( SPD 1333_9-9-9 )
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主板
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ASUS P5K3 Deluxe WiFi-AP
( P35+ICH9R / PCB版本1.01G / BIOS版本0304 )
ASUS P5K Deluxe WiFi-AP
( P35+ICH9R / PCB版本1.09G / BIOS版本0304 )
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对比项目
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DDR2-1066_6-6-6-18
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DDR3-1333_9-9-9-20
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PCMark 05
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Memory
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6210
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6413
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Sandra 2007
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Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Buffered
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6046 MB/s
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6712 MB/s
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Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Buffered
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6026 MB/s
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6710 MB/s
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Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Unbuffered
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4668 MB/s
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4855 MB/s
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Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Unbuffered
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4610 MB/s
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4858 MB/s
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Sciencemark
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Memory Benchmark
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1680
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1769
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DDR3-1333模组虽然有266MHz的内存频率优势，但CL9和DDR2的CL6延迟差距非常明显，尽管如此，DDR3-1333系统还是在理论内存带宽测试中得到了明显更好的成绩，在真实应用方面整个系统性能也不落后于目前顶级超频DDR2系统。
PNY DDR3-1333内存代表了PC内存发展的前沿和最高性能，虽然在对PC系统的绝对性能上和高速DDR2相比提升幅度轻微，但作为新的起点，代表了未来一个阶段内存技术发展的方向，同时极高的内存频率可实现性对于极限超频玩家而言也有不可估量的促进作用。
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