| Tick-Tock（形容时钟工作时嘀嗒嘀嗒的拟声词）生动地描绘出Intel公司这位现时全球半导体行业霸主于中央处理器领域的飞速前进态势。“Tick”表示奇数年份导入具有改良型微架构的新一代硅晶片制程工艺；“Tock”则表示偶数年份导入全新的微架构，一组“Tick-Tock”的运转周期为两年时间。最近一次的“Tick-Tock”更替发生在65纳米Core微架构与45纳米Penryn家族之间，Intel公司准时兑现了每年更新具有改良型微架构的硅晶片制程工艺或是全新微架构的承诺！
现时IC制程工艺通常以纳米作为度量单位，其实际上是指集成电路中晶体管之间的连接线宽。连接线宽越短，单位面积的晶片上所能够容纳晶体管数量也就越多，其效能及功能亦将随之增强。45纳米Penryn家族桌面处理器中的双核心版本将内建4.1亿个晶体管，而四核心版本则更是创下了内建8.2亿个晶体管的历史新高。当然，越来越难控制的晶体管发热量以及电流泄漏是始终不容忽视的，因此Intel公司亦于45纳米Penryn家族中对晶体管材料做出有益尝试，并取得显著成效，而193纳米干式平版印刷技术的延伸应用亦使其成本优势及易制造性得以充分发挥。
Intel公司于45纳米Penryn家族中引入High-k技术。此种以铪（hafnium）元素为基础物质的新型材料不但拥有良好的绝缘性，且比传统二氧化硅栅介质更为厚实，能够进一步控制晶体管的漏电率。当然，由于High-k晶体管栅介质与现有晶体管栅极并不兼容，因此Intel公司亦同时拿出新型晶体管栅极材料，使得晶体管内部源极到漏极之间的驱动电流增加20%以上，不仅能够有效提升晶体管效能，亦能够使得晶体管内部源极到漏极之间的漏电率降低5倍左右！
High-k栅介质与Metal Gate金属栅极的引入能够使得晶体管漏电率较之传统材料降低10倍以上，与65nm制程工艺相比能够在相同耗能下提升20%的时钟频率亦或是在相同时钟频率下拥有更低的耗能。45纳米晶体管每秒钟能够进行约三千亿次的开关动作，在以铜与low-k材料搭配组成的内部连接线的作用下，晶体管开关速度能够提升20%且耗电量降低30%。除此之外，Intel公司又以锡、银、铜的合金取代现有铅、锡为主的焊锡，于45纳米High-k + Metal Gate产品中实现了100%无铅工艺制造！
当然，硅晶片制程工艺的更上一层楼并不是45纳米Penryn家族的全部，改良型微架构同样帮助其效能再攀新高。其中，SSE4.1多媒体指令集将增加两组不同的32-bit向量整数乘法运算单元，并引入八位无符号最大值/最小值运算支持，以及16-bit/32-bit有符号和无符号运算支持，不但有效改善了编译器执行效率并提升向量整数以及单精度代码的运算能力，还进一步改善插入、提取、寻找、离散、跨步负载以及存储等动作模式，使得向量运算趋于专门化。而以超级Shuffle引擎和快速Radix-16除法器为代表的微架构改良令45纳米Penryn家族在图像效能方面提升了15%，视频编码效能提升了70%，三维内容生成效能提升了25%，游戏效能增益更是超过40%！
45纳米Penryn家族处理器现共分为Wolfdale双核心的Core 2 Duo E7000和Core 2 Duo E8000系列以及Yorkfield四核心的Core 2 Quad Q9000系列。其中的前两者将分别取代65纳米Core微架构的Core 2 Duo E6000和Core 2 Duo E4000系列。据来自于非Intel公司的第三方性能指标测试成绩显示，无论是在家用应用性能还是在商用应用性能方面，45纳米Penryn家族的E8000和E7000系列不但较之65纳米Core微架构的E6000和E4000系列有着不同幅度的效能增益，更是仅凭借双核心之身便轻松全面超越了竞争对手所谓的三核心产品！值得一提的是，45纳米Penryn家族的E8000和E7000系列仅仅是在原有价格基础上覆盖了旧有产品而已，并没有因为硅晶片制程工艺的进步和微架构的改良造成产品成本的上扬，而x 0.5倍频率概念则将使得产品型号设定灵活且丰富，有利于整体产品线的规划与部署。
首批45纳米晶圆样品将由Intel公司位于美国俄勒冈州的Fab-D1D厂房负责试产，而初期量产工作则将全部交由同样位于美国亚利桑那州全新兴建的Fab-32厂负责。在此之后，位于以色列的Fab-2厂预计将于2008年上半年加入这一行列之中，而率先投产45纳米晶圆的俄勒冈州Fab-D1D厂亦将进行改建以满足其量产需求。至2008年第三季，其整体出货量将突破50%大关，以实现新旧制程工艺的交替。无论是性能、功耗还是价格，45纳米Penryn家族中的E8000和E7000系列无疑均是如此的诱人，以至于这场次时代桌面中央处理器大战还未全面展开，便似乎已经以Intel公司45纳米Penryn家族产品的胜利而告终结了。
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