来自下游厂商的消息称，海力士半导体(Hynix)在66nm DRAM内存生产上遇到了麻烦，生产良率没有达到预期水准，损失惨重。

海力士在2007年第四季度引入了66nm技术，但未能获得成功，导致一批3000万颗1Gb DDR2内存芯片存在缺陷，占其月输出量的10％左右，使得海力士无法满足合同订单，最近尔必达和三星电子宣布涨价也与此不无关系。

尽管DRAM合约价格会可能会因此提高，不过现货价格很可能不会同样受益，因为渠道内的存货量相对非常充足，很多厂商都在年初准备了大量存货，以期内存价格回升。

另外，业界厂商仍对海力士今年下半年的54nm过渡表示乐观，因为其成本优势依然很明显。